異質接面雙極性電晶體VVBIC模型建立及其在射頻電路之應用; The VBIC Model Establishment and RF Circuit Application of HBTs

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題名:	異質接面雙極性電晶體VVBIC模型建立及其在射頻電路之應用;The VBIC Model Establishment and RF Circuit Application of HBTs
作者:	王雅萱;Ya-shan Wang
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	射頻電路;大訊號模型;異質接面雙極性電晶體;VBIC model;HBT;RF circuit
日期:	2003-06-05
上傳時間:	2009-09-22 11:49:21 (UTC+8)
出版者:	國立中央大學圖書館
摘要:	本論文中，在於針對異質接面雙極性電晶體的模型建立及其應用的射頻前端電路設計。論文的前半部，最主要是異質接面電晶體的等效模型萃取及建立與分析；為了在實際的微波電路應用，我們先得到小訊號模型參數，成功萃取出HBT的外部寄生參數及內部純質參數，四個S-參數的誤差均小於百分之十，表示出此萃取結果是正確且合乎物理意義。有了準確的小訊號模型可以提供設計低雜訊放大器、小訊號增益放大器等使用。在大訊號模型方面，我們使用Gummel-Poon Model及VBIC Model ，來達到正確模擬異質接面電晶體的要求。為了取得模型中的參數，我們藉由IC-CAP中BJT模型的模組，來處理量測的資料，進而得到InGaP/GaAs HBT初始參數值。接著再將這組參數值代入本論文中所建立的模型，以做參數萃取。最後由實際的量測結果與模擬結果作一比較，來印證本論文中所建立的模型於模擬異質接面電晶體特性的準確性；以驗証本論文所建立的模型，確實能正確模擬異質接面電晶體的特性。利用單晶微波積體電路的製程，用InGaP/GaAs HBT設計出一個應用於5.2GHz WLAN 系統的單端壓控振盪器。利用異質接面雙極性電晶體來設計出一個5.2GHz的兩級功率放大器，為了做到功率控制，調變增益。利用一射極隨耦器，配合控制電壓的調變，組合一可調增益放大器。
顯示於類別:	[電機工程研究所] 博碩士論文

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