用於短距530nm/850nm光纖通訊高速高功率高響應度光二極體; Short-Reach 530nm/850nm Optical Fiber Communication Photodiodes

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題名:	用於短距530nm/850nm光纖通訊高速高功率高響應度光二極體;Short-Reach 530nm/850nm Optical Fiber Communication Photodiodes
作者:	謝碩軒;Shuo-Hsien Hsieh
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	波導管架構;光偵測器;光二極體;矽鍺材料;氮化鎵材料;超晶格結構;Photodiodes;Photodetectors;SiGe;GaN;Waveguide;Superlattice
日期:	2005-06-28
上傳時間:	2009-09-22 11:59:00 (UTC+8)
出版者:	國立中央大學圖書館
摘要:	本論文研究中，針對用於短距光纖通訊之光二極體做研究及製作，主要分為應用於塑膠光纖的藍綠光波段(530nm)氮化鎵光二極體的部份及應用於光纖乙太網路(850nm)的矽鍺累增光二極體的部分。 (a) 在邊耦合氮化鎵光二極體的部份。我們利用超晶格結構的設計將吸光與發光製作在同一個元件上，以達成降低製作成本及提高製程便利性，因此在量測上，分為光偵測器(吸光)及發光二極體(發光)的表現。在光偵測器的表現上，大元件(12μm×250μm)之頻寬表現為600MHz，光響應度方面0.234A/W，量子效率為72.54%，脈衝峰值電壓540mV ; 小元件(2μm×60μm)之頻寬表現為825MHz，光響應度方面0.072A/W，量子效率為22.2%，脈衝峰值電壓222mV。在發光特性的表現上，能達到70MHz (94Mbit/s)的操作速度。 (b) 在邊耦合矽鍺累增光二極體方面，操作在累增崩潰區時，能同時達到有極出色的增益頻寬-效率乘積(10GHz，1.85A/W，276%，27.6GHz)及很高峰值電壓(1.5V)。
顯示於類別:	[電機工程研究所] 博碩士論文

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