氮化鎵藍紫光雷射二極體研製與模擬分析

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題名:	氮化鎵藍紫光雷射二極體研製與模擬分析
作者:	黃子建;Tzu-Chien Huang
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	氮化鎵;雷射二極體;GaN;Laser diode
日期:	2005-06-30
上傳時間:	2009-09-22 11:59:14 (UTC+8)
出版者:	國立中央大學圖書館
摘要:	本論文使用氮化鋁銦鎵系列之材料製作藍紫光(405nm)雷射二極體，研究內容著重在雷射二極體模擬分析與研製，共分為三個部份 (1) 雷射二極體結構與製程:以自我對準製程製作藍光雷射，並討論活化條件對電洞濃度之影響，提高電洞濃度兩倍，量測雷射二極體電流電壓特性，分析出二極體之主要問題。 (2) 雷射光場近場模擬:利用電腦輔助軟體模擬雷射近場光場，分析N型披覆層、P型波導層、N型氮化鋁鎵歐姆接觸層在結構上之變化對近場光場的影響，近場中達到單模輸出。 (3) 雷射光場遠場模擬:配合第三章之結果，分析降低遠場光束幾何比之結構，並調整適當的結構達到單模態低光束幾何比(signal mode low aspect ratio)1.45的輸出。
顯示於類別:	[電機工程研究所] 博碩士論文

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