大面積覆晶式氮化鎵發光二極體之製程技術開發與元件特性之探討; Large Area GaN-Based Flip-Chip Light-Emitting Diode

NCUIR > College of Electrical Engineering & Computer Science > Graduate Institute of Electrical Engineering > Electronic Thesis & Dissertation > Item 987654321/9899

Please use this identifier to cite or link to this item: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/9899

Title:	大面積覆晶式氮化鎵發光二極體之製程技術開發與元件特性之探討;Large Area GaN-Based Flip-Chip Light-Emitting Diode
Authors:	高啟倫;Chi-Lun Kao
Contributors:	電機工程研究所
Keywords:	覆晶;發光二極體;靜電釋放;ESD;Flip-Chip;LED
Date:	2005-06-30
Issue Date:	2009-09-22 11:59:34 (UTC+8)
Publisher:	國立中央大學圖書館
Abstract:	本論文以配合磊晶於藍寶石基板之氮化鎵材料為主，開發覆晶式發光二極體之製程技術為目的，提升大面積氮化鎵發光二極體之輸出功率與效率。在覆晶子基板方面，使用以矽為主要材料，搭配氮化矽、鋁等高導熱材料，製作具有良好散熱特性之子基板，並以離子佈植之方式於高濃度P型矽基板內植入磷離子型成N型區域，形成一齊納二極體，並且與發光二極體反向並聯達到靜電釋放保護之效果。在覆晶接合方面，使用了兩種方法：以金/錫合金做為凸塊之焊料接合法，以及使用金球做為凸塊之熱超音波接合法為覆晶接合之方法，皆成功將發光二極體元件與覆晶子基板接合。　　以鈀/氧化鎳/鋁/鈦/金作為高反射p型歐姆接觸層，波長470 nm之大面積(~1mm2)氮化鎵發光二極體於覆晶接合後，光強度為使用鎳/金透明電極之傳統正面發光二極體之1.5倍。未封裝之覆晶式發光二極體於350 mA光強度約為80 mW，最大光強度於800 mA為120 mW。
Appears in Collections:	[Graduate Institute of Electrical Engineering] Electronic Thesis & Dissertation

Files in This Item:

File	Size	Format

社群 sharing

Loading...