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    題名: 矽鍺/矽異質接面動態臨界電壓電晶體及矽鍺源/汲極結構之研製
    作者: 施欽富;Chen-Fu Shih
    貢獻者: 電機工程研究所
    關鍵詞: 矽鍺源/汲極;矽鍺/矽異質接面動態臨界電壓電晶體
    日期: 2005-07-04
    上傳時間: 2009-09-22 11:59:45 (UTC+8)
    出版者: 國立中央大學圖書館
    摘要: 矽鍺/矽異質接面動態臨界電壓電晶體及矽鍺源/汲極結構之研製 摘要 在本論文中，我們利用矽鍺/矽異質結構，實際製作出Si1-xGex(x=0、0.3)動態臨界電壓電晶體(Dynamic Threshold Voltage MOSFET, DTMOS)及一般金氧半電晶體(Standard MOS)。並且分別在溫度為77K、150K、300K、350K及400K時，量測其直流特性表現，然後去比較溫度對DTMOS及Standard MOS的影響。除了直流特性分析外，我們也在溫度240K、300K及350K時分別比較元件的低頻雜訊特性。 從我們的量測結果中，可看出SiGe DTMOS的確擁有較Si Standard MOS佳的直流特性、低頻雜訊和熱穩定性，具有在低電壓、低功率及高速應用方面的潛力。 本論文的另一重點為利用嵌入式矽鍺源/汲極結構抑制元件的短通道效應，並且實際使用ICP與LPCVD解決矽鍺源/汲極結構中兩個關鍵製程，嵌入式源/汲極蝕刻與矽鍺選擇性沉積。期待利用此矽鍺源/汲極結構更進一步改良元件性能，以實現未來奈米金氧半電晶體發展之趨勢。
    顯示於類別:[電機工程研究所] 博碩士論文

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