選擇性氧化複晶矽鍺形成鍺量子點的光特性與光二極體研製; Optical Properties of Ge Dots Formed by Oxidation of Poly-SiGe and Photodiode

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题名:	選擇性氧化複晶矽鍺形成鍺量子點的光特性與光二極體研製;Optical Properties of Ge Dots Formed by Oxidation of Poly-SiGe and Photodiode
作者:	蘇佩徵;Pei-Cheng Su
贡献者:	電機工程研究所
关键词:	鍺量子點;光二極體;photodiode;Ge dot
日期:	2005-07-04
上传时间:	2009-09-22 11:59:50 (UTC+8)
出版者:	國立中央大學圖書館
摘要:	本論文之研究重點，在於發展鍺量子點應用於光電元件的研製。長久以來，矽元件技術應用集中在電性元件，而化合物半導體主宰了整個光電元件及高頻元件的領域。故本論文之重點放在可相容於目前矽元件製作技術以及提高製程的穩定性與再現性，並且降低製程成本的鍺量子點光二極體。在本篇論文中，藉由”矽鍺選擇性氧化法”形成鍺量子點，並且實際製作出光二極體。實驗中，在室溫下量測PL可得ㄧ放射光譜在3eV，是屬於紫光的範圍；而控制鍺量子點的大小便可以使放射光譜的能量有所改變，不再像化合物半導體需要變換材料或其莫耳分量才能達到此目的。
显示于类别:	[電機工程研究所] 博碩士論文

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