氮化鋁鎵/氮化鎵高電子移導率場效電晶體之製作與應用; AlGaN/GaN high electron mobility transistors:fabrication and application

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題名:	氮化鋁鎵/氮化鎵高電子移導率場效電晶體之製作與應用;AlGaN/GaN high electron mobility transistors:fabrication and application
作者:	林柏辰;Po-Chen Lin
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	氮化鋁鎵;脈衝波;氮化鎵;場效電晶體;AlGaN;GaN;HEMT;Pulse;FET
日期:	2005-06-22
上傳時間:	2009-09-22 12:00:01 (UTC+8)
出版者:	國立中央大學圖書館
摘要:	本論文首先介紹HEMT的工作原理，以此為基礎設計我們的氮化鋁鎵/氮化鎵高電子移導率場效電晶體。在元件的歐姆接觸方面，我們參考歐姆接觸的原理，利用傳輸線模型以Ti/Al/Ni/Au (25/125/45/55 nm)的蒸鍍厚度、800℃－30秒鐘的熱退火條件，製作出阻抗為0.4 Ω-mm的歐姆接觸。元件製作完成之後，我們對氮化鋁鎵/氮化鎵高電子移導率場效電晶體作直流、小訊號、功率量測，元件特性汲最大飽和電流為900 mA/mm、最大轉導為196 mS/mm、增益截止頻率為37 GHz、功率增益截止頻率為45 GHz，其它功率上特性如功率增益為14.6 dB、最大輸出功率為25 dBm。在脈衝電流－電壓量測方面，我們結合低溫量測系統量測出元件在100K、200K、300K的電流－電壓特性，並分析元件的熱效應與表面缺陷。
顯示於類別:	[電機工程研究所] 博碩士論文

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