A 30-GHz 10-dB low noise amplifier using standard 0.18-mu m simulated CMOS technology

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题名:	A 30-GHz 10-dB low noise amplifier using standard 0.18-mu m simulated CMOS technology
作者:	Tu,Hsin-Lung;Yang,Tsung-Yu;Liang,Kung-Hao;Chiou,Hwann-Kaeo
贡献者:	電機工程研究所
日期:	2007
上传时间:	2010-07-06 18:15:07 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	A three-stage 30-GHz low noise amplifier (LNA) was designed and fabricated in a standard 0.18-mu m CMOS technology. The LNA has demonstrated a 10-dB gain and a minimum noise figure of 5.2 dB at 30 GHz. The achieved input 1-dB compression point (IP1 dB) an
關聯:	MICROWAVE AND OPTICAL TECHNOLOGY LETTERS
显示于类别:	[電機工程研究所] 期刊論文

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