InGaAsSb/InP double heterojunction bipolar transistors grown by solid-source molecular beam epitaxy

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題名:	InGaAsSb/InP double heterojunction bipolar transistors grown by solid-source molecular beam epitaxy
作者:	Chen,Shu-Han;Wang,Sheng-Yu;Hsieh,Rei-Jay;Chyi,Jen-Inn
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	INP/GAASSB/INP DOUBLE HBTS;BAND OFFSETS;BVCEO;GHZ
日期:	2007
上傳時間:	2010-07-06 18:17:41 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	This letter investigates the dc characteristics of a double heterojunction bipolar transistor (DHBT) with a compressively strained InGaAsSb base, which is grown by solid-source molecular beam epitaxy. The novel InP/InGaAsSb HBT has a lower base/emitter (B
關聯:	IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

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