Improved Schottky leakage current of In0.5Al0.5As/In0.5Ga0.5As metamorphic HEMTs using (NH4)(2)S-x treatment

NCU Institutional Repository > 資訊電機學院 > 電機工程研究所 > 期刊論文 > Item 987654321/32196

請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/32196

題名:	Improved Schottky leakage current of In0.5Al0.5As/In0.5Ga0.5As metamorphic HEMTs using (NH4)(2)S-x treatment
作者:	Chiu,Hsien-Chin;Chang,Liann-Be;Huang,Yuan-Chang;Chen,Chung-Wen;Li,Yu-Jen;Chan,Yi-Jen
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	SULFUR PASSIVATION;HIGH-PERFORMANCE;GAAS;TRANSISTORS
日期:	2006
上傳時間:	2010-07-06 18:20:52 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Surface passivation process play an important role, especially in high-power In0.5Al0.5As/In0.5Ga0.5As metamorphic high-electron-mobility transistor (MHEMT) applications, and a passivation pretreatment technology has been proposed in this study. Before th
關聯:	ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

文件中的檔案:

檔案	描述	大小	格式	瀏覽次數
index.html		0Kb	HTML	461	檢視/開啟

在NCUIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

社群 sharing