1.3 mu m InAs/GaAs quantum dots directly capped with GaAs grown by metal-organic chemical vapor deposition

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题名:	1.3 mu m InAs/GaAs quantum dots directly capped with GaAs grown by metal-organic chemical vapor deposition
作者:	Huang,KF;Hsieh,TP;Yeh,NT;Ho,WJ;Chyi,JI;Wu,MC
贡献者:	電機工程研究所
关键词:	THRESHOLD CURRENT;LIGHT-EMISSION;DEPENDENCE;LASERS
日期:	2004
上传时间:	2010-07-06 18:25:39 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	In this paper, we investigate the effects of growth temperature and growth rate on the formation of InAs/GaAs quantum dots (QDs) grown by metalorganic chemical vapor deposition. These QDs are formed with large InAs coverage (3.0 MLs) and periodic growth i
關聯:	JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
显示于类别:	[電機工程研究所] 期刊論文

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