Diffusion mechanism and photoluminescence of erbium in GaN

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题名:	Diffusion mechanism and photoluminescence of erbium in GaN
作者:	Ting,YS;Chen,CC;Lee,CC;Chi,GC;Chini,TK;Chakraborty,P;Chuang,HW;Tsang,JS;Kuo,CT;Tsai,WC;Chen,SH;Chyi,JI
贡献者:	電機工程研究所
关键词:	MOLECULAR-BEAM EPITAXY;DOPED GAN;IMPLANTED GAN;ER;EMISSION;ELECTROLUMINESCENCE;SI;EU
日期:	2003
上传时间:	2010-07-06 18:28:59 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Erbium has been diffused into GaN for the first time. A weak spontaneous emission is observed in the photoluminescence spectra after the diffusion process during 168 h at 800 degreesC, under N-2 atmosphere. The diffusion coefficient of erbium in GaN is ob
關聯:	OPTICAL MATERIALS
显示于类别:	[電機工程研究所] 期刊論文

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