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Item 987654321/57328
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http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/57328
題名:
活性離子蝕刻技術在高速場效應電晶體之應用(II)
;
The Technology of Reactive Ion Etching (RIE) for the Fabrication of Heterostructure High Speed Transistors (II)
作者:
詹益仁
貢獻者:
中央大學電機工程學系
關鍵詞:
電子電機工程類
;
活性離子蝕刻
;
選擇性蝕刻
;
微波積體電路
;
四元化合物
;
異質結構
;
Reactive ion etching (RIE)
;
Selective etching
;
Microwave integrated circuit
;
Quaternary alloy
;
Heterostructure
日期:
1999-09-01
上傳時間:
2012-10-01 15:18:32 (UTC+8)
出版者:
行政院國家科學委員會
摘要:
研究期間 8708 ~ 8807
關聯:
財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
顯示於類別:
[電機工程學系] 研究計畫
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