English  |  正體中文  |  简体中文  |  全文筆數/總筆數 : 78852/78852 (100%)
造訪人次 : 38478220      線上人數 : 94
RC Version 7.0 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.
搜尋範圍 查詢小技巧：
  • 您可在西文檢索詞彙前後加上"雙引號"，以獲取較精準的檢索結果
  • 若欲以作者姓名搜尋，建議至進階搜尋限定作者欄位，可獲得較完整資料
    •  進階搜尋


    請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/9752


    題名: 氮化銦鎵系列多層量子井之光學特性探討;Optical characterization of InGaN-based Multiple Quantum Well Structures
    作者: 丁肇敏;Chao-Min Ting
    貢獻者: 電機工程研究所
    關鍵詞: 氮化銦鎵;量子井;InGaN
    日期: 2004-07-05
    上傳時間: 2009-09-22 11:55:16 (UTC+8)
    出版者: 國立中央大學圖書館
    摘要: 本論文以Optical pumping量測氮化銦鎵/氮化(鋁)鎵多層量子井之光增益頻譜，並以光激光譜量測與簡單的理論計算來分析驗證我們實驗室所成長磊晶的品質及判定結構設計之正確性。 針對不同層數量子井來探討活化能所扮演的角色與光增益頻譜的比較。發現當量子井層數增加時，活化能值提高。由於量子井層數較多，整體光場侷限與增益介質增加造成在相同激發強度下有好的光增益表現。 　　使用氮化鋁鎵作為位障層在自發性光譜中強度較強，代表了提高載子侷限。但是應用在雷射二極體中卻使得整體光場侷限因子下降，因此整體模組增益值表現不如預期，需要較高的激發強度與較長的共振腔才可達到雷射現象。
    顯示於類別:[電機工程研究所] 博碩士論文

    文件中的檔案:

    檔案 大小格式瀏覽次數


    在NCUIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

    社群 sharing

    ::: Copyright National Central University. | 國立中央大學圖書館版權所有 | 收藏本站 | 設為首頁 | 最佳瀏覽畫面: 1024*768 | 建站日期：8-24-2009 :::
    DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - 隱私權政策聲明