English
| 正體中文 |
简体中文
|
全文筆數/總筆數 : 94201/94201 (100%)
造訪人次 : 81597656 線上人數 : 2788
RC Version 7.0 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by
NTU Library IR team.
搜尋範圍
全部NCUIR
工學院
化學工程與材料工程學系
--期刊論文
查詢小技巧:
您可在西文檢索詞彙前後加上"雙引號",以獲取較精準的檢索結果
若欲以作者姓名搜尋,建議至進階搜尋限定作者欄位,可獲得較完整資料
進階搜尋
主頁
‧
登入
‧
上傳
‧
說明
‧
關於NCUIR
‧
管理
NCU Institutional Repository
>
工學院
>
化學工程與材料工程學系
>
期刊論文
>
Item 987654321/100878
資料載入中.....
書目資料匯出
Endnote RIS 格式資料匯出
Bibtex 格式資料匯出
引文資訊
資料載入中.....
資料載入中.....
請使用永久網址來引用或連結此文件:
https://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/100878
題名:
Nonvolatile organic thin film transistor memory devices based on hybrid nanocomposites of semiconducting polymers: Gold nanoparticles
作者:
劉振良
;
Chang, Hsuan-Chun
;
Liu, Cheng-Liang
;
Chen, Wen-Chang
貢獻者:
工學院化學工程與材料工程學系
關鍵詞:
carbon
;
computer hardware
;
gold
;
ligands
;
nanocomposites
;
nanogold
;
polymers
;
trapping
日期:
2013-12-26
上傳時間:
2026-04-21 14:16:56 (UTC+8)
出版者:
American Chemical Society;United States: American Chemical Society
摘要:
摘要: We report the facile fabrication and characteristics of organic thin film transistor (OTFT)-based nonvolatile memory devices using the hybrid nanocomposites of semiconducting poly(9,9-dioctylfluorene-alt-bithiophene) (F8T2) and ligand-capped Au nanoparticles (NPs), thereby serving as a charge storage medium. Electrical bias sweep/excitation effectively modulates the current response of hybrid memory devices through the charge transfer between F8T2 channel and functionalized Au NPs trapping sites. The electrical performance of the hybrid memory devices can be effectively controlled though the loading concentrations (0–9 %) of Au NPs and organic thiolate ligands on Au NP surfaces with different carbon chain lengths (Au-L6, Au-L10, and Au-L18). The memory window induced by voltage sweep is considerably increased by the high content of Au NPs or short carbon chain on the ligand. The hybrid nanocomposite of F8T2:9% Au-L6 provides the OTFT memories with a memory window of ∼41 V operated at ±30 V and memory ratio of ∼1 × 103 maintained for 1 × 104 s. The experimental results suggest that the hybrid materials of the functionalized Au NPs in F8T2 matrix have the potential applications for low voltage-driven high performance nonvolatile memory devices.
其他題名: ACS Appl. Mater. Interfaces
出版者: United States: American Chemical Society
出版日期: 2013-12-26
出處: ACS Applied Materials & Interfaces, 2013-12, Vol.5 (24), p.13180-13187
資源來源: American Chemical Society Journals
版權: Copyright © 2013 American Chemical Society
識別號: ISSN: 1944-8244
識別號: ISSN: 1944-8252
識別號: EISSN: 1944-8252
識別號: DOI: 10.1021/am404187r
識別號: PMID: 24224739
顯示於類別:
[化學工程與材料工程學系 ] 期刊論文
文件中的檔案:
檔案
描述
大小
格式
瀏覽次數
index.html
0Kb
HTML
19
檢視/開啟
在NCUIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.
社群 sharing
::: Copyright National Central University. | 國立中央大學圖書館版權所有 |
收藏本站
|
設為首頁
| 最佳瀏覽畫面: 1024*768 | 建站日期:8-24-2009 :::
DSpace Software
Copyright © 2002-2004
MIT
&
Hewlett-Packard
/
Enhanced by
NTU Library IR team
Copyright ©
-
隱私權政策聲明