Self-aligned inversion-channel n-InGaAs, p-GaSb, and p-Ge MOSFETs with a common high κ gate dielectric using a CMOS compatible process

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題名:	Self-aligned inversion-channel n-InGaAs, p-GaSb, and p-Ge MOSFETs with a common high κ gate dielectric using a CMOS compatible process
作者:	綦振瀛;Fu, C.H.;Lin, Y.H.;Lee, W.C.;Lin, T.D.;Chu, R.L.;Chu, L.K.;Chang, P.;Chen, M.H.;Hsueh, W.J.;Chen, S.H.;Brown, G.J.;Chyi, J.I.;Kwo, J.;Hong, M.
貢獻者:	資訊電機學院電機工程學系
日期:	2015-05-16
上傳時間:	2026-04-23 14:38:09 (UTC+8)
出版者:	Elsevier;Elsevier BV
摘要:	出版者： Elsevier BV 出版日期： 2015-11 出處： Microelectronic Engineering, 2015-11, Vol.147, p.330-334 識別號： ISSN: 0167-9317 識別號： DOI: 10.1016/j.mee.2015.04.098
顯示於類別:	[電機工程學系] 期刊論文

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