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    日期题名作者
    2002 Simultaneous observation of the vertical gradients of refractivity in the atmosphere and electron density in the lower ionosphere by radio occultation amplitude method Liou,YA; Pavelyev,AG; Huang,CY; Igarashi,K; Hocke,K
    2002 The ionospheric perturbations prior to the Chi-Chi and Chia-Yi earthquakes Chuo,YJ; Liu,JY; Pulinets,SA; Chen,YI
    2002 Three-dimensional spatial structures of midlatitude type 1 Es irregularities Chu,YH; Wang,CY
    2002 True orthophoto generation of built-up areas using multi-view images Rau,JY; Chen,NY; Chen,LC
    2002 Using similarity parameters for supervised polarimetric SAR image classification Xu,JY; Yang,J; Peng,YN; Wang,C; Liou,YA
    2002 VHF radar and MF/HF dynasonde observations during Polar Mesosphere Summer Echoes conditions at EISCAT Liu,JY; Pan,CJ; Lee,CC
    2002 400-nm InGaN-GaN and InGaN-AlGaN multiquantum well light-emitting diodes Chang,SJ; Kuo,CH; Su,YK; Wu,LW; Sheu,JK; Wen,TC; Lai,WC; Chen,JF; Tsai,JM
    2002 Angle-dependent x-ray absorption spectroscopy study of Zn-doped GaN Chiou,JW; Mookerjee,S; Rao,KVR; Jan,JC; Tsai,HM; Asokan,K; Pong,WF; Chien,FZ; Tsai,MH; Chang,YK; Chen,YY; Lee,JF; Lee,CC; Chi,GC
    2002 Characterization of Si implants in p-type GaN Sheu,JK; Lee,ML; Tun,CJ; Kao,CJ; Yeh,LS; Chang,SJ; Chi,GC
    2002 Dependence of optical gain on direction of optically pumped cavity on (0001)-plane for InGaN/GaN multiple quantum well structure Chen,CC; Hsieh,KL; Sheu,JK; Chi,GC; Jou,MJ; Lee,CH; Lin,MZ
    2002 Influence of Si-doping on the characteristics of InGaN-GaN multiple quantum-well blue light emitting diodes Wu,LW; Chang,SJ; Wen,TC; Su,YK; Chen,JF; Lai,WC; Kuo,CH; Chen,CH; Sheu,JK
    2002 InGaN/GaN light emitting diodes activated in O-2 ambient Kuo,CH; Chang,SJ; Su,YK; Chen,JF; Wu,LW; Sheu,JK; Chen,CH; Chi,GC
    2002 InGaN/GaN tunnel-injection blue light-emitting diodes Wen,TC; Chang,SJ; Wu,LW; Su,YK; Lai,WC; Kuo,CH; Chen,CH; Sheu,JK; Chen,JF
    2002 Low temperature activation of Mg-doped GaN in O-2 ambient Kuo,CH; Chang,SJ; Su,YK; Wu,LW; Sheu,JK; Chen,CH; Chi,GC
    2002 Making shallow traps in barium titanate inactive by reduction Huang,CY; Chang,JY
    2002 n(+)-GaN formed by Si implantation into p-GaN Sheu,JK; Tun,CJ; Tsai,MS; Lee,CC; Chi,GC; Chang,SJ; Su,YK
    2002 Novel type of ohmic contacts to p-doped GaN using polarization fields in thin InxGa1-xN capping layers Gessmann,T; Li,YL; Waldron,EL; Graff,JW; Schubert,EF; Sheu,JK
    2002 Observation of dislocation etch pits in epitaxial lateral overgrowth GaN by wet etching Wen,TC; Lee,WI; Sheu,JK; Chi,GC
    2002 Ohmic contacts to p-type GaN mediated by polarization fields in thin InxGa1-xN capping layers Gessmann,T; Li,YL; Waldron,EL; Graff,JW; Schubert,EF; Sheu,JK
    2002 The doping process and dopant characteristics of GaN Sheu,JK; Chi,GC
    2002 White-light emission from InGaN-GaN multiquantum-well light-emitting diodes with Si and Zn codoped active well layer Sheu,JK; Pan,CJ; Chi,GC; Kuo,CH; Wu,LW; Chen,CH; Chang,SJ; Su,YK
    2002 Adsorption of a random copolymer at a lipid bilayer membrane Ermoshkin,AV; Chen,JZY; Lai,PY
    2002 Distribution of the units digit of primes Ko,CM
    2002 Dynamics of polymer knots at equilibrium Lai,PY
    2002 Electrostatic attraction between ionic reverse micelles with dielectric discontinuity Chen,PL

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