Fabrication of thin-GaN LED structures by Au-Si wafer bonding

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題名:	Fabrication of thin-GaN LED structures by Au-Si wafer bonding
作者:	HSU S. C. ,LIU C. Y.
貢獻者:	化學工程與材料工程研究所
關鍵詞:	LIGHT-EMITTING-DIODES;LASER LIFT-OFF;SILICON;GROWTH;HETEROSTRUCTURE;TEMPERATURE;STRAIN;FILMS;GOLD
日期:	2006
上傳時間:	2010-07-06 16:18:40 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Using Au-Si wafer bonding and laser lift-off (LLO) techniques, an light emitting diode (LED) GaN epi layer was successfully transferred onto a Si substrate. After the wafer bonding, a KrF excimer laser was used to separate the GaN layer from the grown sap
關聯:	ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS
顯示於類別:	[化學工程與材料工程研究所] 期刊論文

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