Nanoscale thick layer transfer of hydrogen-implanted wafer by using polycrystalline silicon sacrificial layer

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题名:	Nanoscale thick layer transfer of hydrogen-implanted wafer by using polycrystalline silicon sacrificial layer
作者:	Lee,T. -H.;Huang,C. -H.;Yang,Y. Y.;Suryasindhu,T.;Li,P. W.
贡献者:	機械工程研究所
关键词:	ON-INSULATOR;TECHNOLOGY
日期:	2007
上传时间:	2010-07-06 16:20:47 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	This article presents a sacrificial layer method of forming a nanoscale thick silicon-on-insulator thin film, avoiding the channeling effect of implantation and eliminating a subsequent thinning process. However, because of the light mass of hydrogen, it
關聯:	APPLIED PHYSICS LETTERS
显示于类别:	[機械工程研究所] 期刊論文

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