A W-band injection-locked frequency divider using GaAs pHEMTs and cascode circuit topology

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題名:	A W-band injection-locked frequency divider using GaAs pHEMTs and cascode circuit topology
作者:	Huang,Fan-Hsiu;Lin,Cheng-Kuo;Wu,Yen-Shiang;Wang,Yu-Chi;Chan,Yi-Jen
貢獻者:	電機工程研究所
日期:	2007
上傳時間:	2010-07-06 18:15:46 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	This study presents a W-band injection-locked frequency divider (ILFD) with a wide locking range characteristic by using 0.15 mu m GaAs pHEMT techniques. Based on the cascode circuit topology, the oscillation and the injection parts can be designed indivi
關聯:	IEEE MICROWAVE AND WIRELESS COMPONENTS LETTERS
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

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