Investigation of layered structure SAW devices fabricated using low temperature grown AlN thin film on GaN/sapphire

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題名:	Investigation of layered structure SAW devices fabricated using low temperature grown AlN thin film on GaN/sapphire
作者:	Lin,HF;Wu,CT;Chien,WC;Chen,SW;Kao,HL;Chyi,JI;Chen,JS
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	ELECTROMECHANICAL COUPLING COEFFICIENT;HELICON SPUTTERING SYSTEM;ALUMINUM NITRIDE;GAN;SAPPHIRE;VELOCITY
日期:	2005
上傳時間:	2010-07-06 18:24:04 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Epitaxial AlN films have been grown on GaN/sapphire using helicon sputtering at 300 degrees C. The surface acoustic wave (SAW) filters fabricated on AlN/GaN/sapphire exhibit more superior characteristics than those made on GaN/sapphire. This composite str
關聯:	IEEE TRANSACTIONS ON ULTRASONICS FERROELECTRICS AND FREQUENCY CONTROL
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

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