Tunneling current through a single germanium quantum dot

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题名:	Tunneling current through a single germanium quantum dot
作者:	Kuo,DMT;Li,PW
贡献者:	電機工程研究所
关键词:	SIGE/SI-ON-INSULATOR;ELECTRON TRANSISTOR;ROOM-TEMPERATURE;SELECTIVE OXIDATION;OSCILLATIONS;TRANSPORT;ENERGY
日期:	2005
上传时间:	2010-07-06 18:25:15 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	The tunneling current through a germanium quantum dot (Ge QD) of nanometer size is studied theoretically. The energy levels and Coulomb interactions of electrons in a Ge QD are calculated using an effective mass model. In small Ge QDs, the interlevel Coul
關聯:	JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS
显示于类别:	[電機工程研究所] 期刊論文

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