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    题名: 0.13-mu m RF CMOS and varactors performance optimization by multiple gate layouts
    作者: Ho,CC;Kuo,CW;Chan,Y;Lien,WY;Guo,JC
    贡献者: 電機工程研究所
    关键词: 0.18-MU-M
    日期: 2004
    上传时间: 2010-07-06 18:25:37 (UTC+8)
    出版者: 中央大學
    摘要: 0.13-mum radio frequency (RF) CMOS devices with multifinger gate structure have been fabricated by the standard logic process, and the measured effective gate-length is 80 nm. Extensive RF characterization has been done to obtain cutoff frequency (f(T)),
    關聯: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
    显示于类别:[電機工程研究所] 期刊論文

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