0.13-mu m RF CMOS and varactors performance optimization by multiple gate layouts

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题名:	0.13-mu m RF CMOS and varactors performance optimization by multiple gate layouts
作者:	Ho,CC;Kuo,CW;Chan,Y;Lien,WY;Guo,JC
贡献者:	電機工程研究所
关键词:	0.18-MU-M
日期:	2004
上传时间:	2010-07-06 18:25:37 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	0.13-mum radio frequency (RF) CMOS devices with multifinger gate structure have been fabricated by the standard logic process, and the measured effective gate-length is 80 nm. Extensive RF characterization has been done to obtain cutoff frequency (f(T)),
關聯:	IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
显示于类别:	[電機工程研究所] 期刊論文

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