2.6 A, 0.69 MW cm(-2) single-chip bulk GaN p-i-n rectifier

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题名:	2.6 A, 0.69 MW cm(-2) single-chip bulk GaN p-i-n rectifier
作者:	Irokawa,Y;Luo,B;Kang,BS;Kim,J;LaRoche,JR;Ren,F;Baik,KH;Pearton,SJ;Pan,CC;Chen,GT;Chyi,JI;Park,SS;Park,YJ
贡献者:	電機工程研究所
关键词:	HIGH-VOLTAGE;SCHOTTKY RECTIFIERS;BREAKDOWN VOLTAGE;PERFORMANCE;SEMICONDUCTORS;TRANSISTORS;WIDE
日期:	2004
上传时间:	2010-07-06 18:25:42 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	The performance of a 9 device array of 500 x 500 mum(2) GaN p-i-n rectifiers fabricated on epitaxial layers grown on a free-standing GaN template is reported. The forward turn-on voltage was similar to5.5 V at 25 degreesC, with an on-state resistance of s
關聯:	SOLID-STATE ELECTRONICS
显示于类别:	[電機工程研究所] 期刊論文

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