MgO/p-GaN enhancement mode metal-oxide semiconductor field-effect transistors

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题名:	MgO/p-GaN enhancement mode metal-oxide semiconductor field-effect transistors
作者:	Irokawa,Y;Nakano,Y;Ishiko,M;Kachi,T;Kim,J;Ren,F;Gila,BP;Onstine,AH;Abernathy,CR;Pearton,SJ;Pan,CC;Chen,GT;Chyi,JI
贡献者:	電機工程研究所
关键词:	CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION;N-TYPE GAN;INVERSION BEHAVIOR;ELECTRICAL CHARACTERIZATION;GATE OXIDE;DIODES;INTERFACE;DENSITY;DIELECTRICS;PERFORMANCE
日期:	2004
上传时间:	2010-07-06 18:27:02 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	We report the initial demonstration of an enhancement mode MgO/p-GaN metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) utilizing Si ion-implanted regions under the source and drain to provide a source of minority carriers for inversion. The break
關聯:	APPLIED PHYSICS LETTERS
显示于类别:	[電機工程研究所] 期刊論文

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