Temperature dependent characteristics of bulk GaN Schottky rectifiers on free-standing GaN substrates

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題名:	Temperature dependent characteristics of bulk GaN Schottky rectifiers on free-standing GaN substrates
作者:	Kang,BS;Ren,F;Irokawa,Y;Baik,KW;Pearton,SJ;Pan,CC;Chen,GT;Chyi,JI;Ko,HJ;Lee,HY
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	P-I-N;BREAKDOWN VOLTAGE;EDGE TERMINATION;POWER RECTIFIERS;DIODES;WIDE;DEVICES;DESIGN;PERFORMANCE
日期:	2004
上傳時間:	2010-07-06 18:27:55 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	The performance of Schottky rectifiers fabricated with dielectric overlap edge termination on epitaxial layers grown on a free-standing GaN template is reported. The power figure-of-merit (V-B)(2)/R-ON where V-B is the reverse breakdown voltage and R-ON i
關聯:	JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

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