The microwave power performance comparisons of AlxGa1-xAs/In0.15Ga0.85As (x=0.3, 0.5, 0.7, 1.0) doped-channel HFETs

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題名:	The microwave power performance comparisons of AlxGa1-xAs/In0.15Ga0.85As (x=0.3, 0.5, 0.7, 1.0) doped-channel HFETs
作者:	Chin,HC;Yang,SC;Chan,YJ;Chen,SH;Liu,WS;Chyi,JI
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	HETEROSTRUCTURE;BARRIER
日期:	2004
上傳時間:	2010-07-06 18:27:58 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	The properties of doped-channel field-effect transistors (DCFET) have been thoroughly investigated on Al(x)Gal(1-x)As/InGaAs (x = 0.3, 0.5, 0.7, 1) heterostructures with various Al mole fractions. In this study, we observed that by introducing a 200-Angst
關聯:	IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

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