Reducing dark current in a high-speed Si-based interdigitated trench-electrode MSM photodetector

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題名:	Reducing dark current in a high-speed Si-based interdigitated trench-electrode MSM photodetector
作者:	Lin,CS;Chang,YC;Yeh,RH;Hong,JW
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	CRYSTALLINE SILICON HETEROJUNCTIONS;SEMICONDUCTOR-METAL PHOTODETECTORS;TEMPERATURE;WAFER
日期:	2003
上傳時間:	2010-07-06 18:29:52 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	The authors have studied higher dark-current temperature dependence in a trench-electrode Si-based metal-semiconductor-metal (MSM) photodetector which has a hydrogenated intrinsic amorphous silicon (i-a-Si:H) dark-current suppression layer. The poor dark-
關聯:	IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

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