Design of high speed Si/SiGe heterojunction complementary metal-oxide-semiconductor field effect transistors with reduced short-channel effects

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題名:	Design of high speed Si/SiGe heterojunction complementary metal-oxide-semiconductor field effect transistors with reduced short-channel effects
作者:	Li,PW;Liao,WM
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	HOLE MOBILITY;HETEROSTRUCTURES;MOSFETS;ALLOYS
日期:	2002
上傳時間:	2010-07-06 18:31:10 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	By taking advantages of higher carrier mobility and bandgap engineering in the Si/SiGe system, we explore the channel and source/drain (S/D) designs for Si/SiGe heterojunction complementary metal-oxide-semiconductor field effect transistors (CMOSFETs). A
關聯:	JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A-VACUUM SURFACES AND FILMS
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

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