Investigation of InAs/GaAs quantum-dot infrared photodetector with In0.5Ga0.5P dark current blocking layer

NCU Institutional Repository > 資訊電機學院 > 電機工程研究所 > 期刊論文 > Item 987654321/32551

請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/32551

題名:	Investigation of InAs/GaAs quantum-dot infrared photodetector with In0.5Ga0.5P dark current blocking layer
作者:	Jiang,L;Li,SS;Yeh,NT;Chyi,JI;Tidrow,MZ
貢獻者:	電機工程研究所
日期:	2002
上傳時間:	2010-07-06 18:31:48 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	A novel InAs/GaAs quantum-dot infrared photodetector with an In0.5Ga0.5P dark current blocking layer for long-wavelength infrared (LWIR) detection has been developed in this work. Very low dark current densities were obtained at V-b = -0.5 V (10(-10) A/cm
關聯:	ELECTRONICS LETTERS
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

文件中的檔案:

檔案	描述	大小	格式	瀏覽次數
index.html		0Kb	HTML	437	檢視/開啟

在NCUIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

社群 sharing