Low-frequency noise analysis of Si/SiGe channel pMOSFETs

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题名:	Low-frequency noise analysis of Si/SiGe channel pMOSFETs
作者:	Li,PW;Liao,WM
贡献者:	電機工程研究所
关键词:	MOBILITY
日期:	2002
上传时间:	2010-07-06 18:31:52 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Low-frequency noise characteristics of 0.1 mum Si1-xGex channel pMOSFETs were studied by numerical simulations in the framework of the carrier number fluctuation model as well as the correlated fluctuation in the mobility model. Simulation results predict
關聯:	SOLID-STATE ELECTRONICS
显示于类别:	[電機工程研究所] 期刊論文

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