(AlxGa1-x)(0.5)In0.5P/In0.15Ga0.85As (x = 0, 0.3, 1.0) heterostructure doped-channel FETs for microwave power applications

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題名:	(AlxGa1-x)(0.5)In0.5P/In0.15Ga0.85As (x = 0, 0.3, 1.0) heterostructure doped-channel FETs for microwave power applications
作者:	Yang,SC;Chiu,HC;Chan,YJ;Lin,HH;Kuo,JM
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	MOLECULAR-BEAM EPITAXY;INTERFACE;ALXGA1-XAS
日期:	2001
上傳時間:	2010-07-06 18:32:29 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	The quaternary (AlxGa1-x)(0.5)In0.5P(0 less than or equal to x less than or equal to 1) compounds on GaAs substrates are important materials used as a Schottky layer in microwave devices. In this report, we systematically investigated the electrical prope
關聯:	IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

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