中大機構典藏-NCU Institutional Repository-提供博碩士論文、考古題、期刊論文、研究計畫等下載:Item 987654321/32607
English  |  正體中文  |  简体中文  |  全文笔数/总笔数 : 70585/70585 (100%)
造访人次 : 23040315      在线人数 : 471
RC Version 7.0 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.
搜寻范围 查询小技巧:
  • 您可在西文检索词汇前后加上"双引号",以获取较精准的检索结果
  • 若欲以作者姓名搜寻,建议至进阶搜寻限定作者字段,可获得较完整数据
  • 进阶搜寻


    jsp.display-item.identifier=請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/32607


    题名: High power density of AlGaAs/InGaAs doped-channel FETs with low DC power supply
    作者: Chiu,HC;Yang,SC;Chien,FT;Chan,YJ
    贡献者: 電機工程研究所
    关键词: HIGH-EFFICIENCY;DESIGN;HEMTS
    日期: 2001
    上传时间: 2010-07-06 18:33:49 (UTC+8)
    出版者: 中央大學
    摘要: High power density Al(0.3)G(0.7)As/In0.15Ga0.85As doped-channel FETs (modified DCFETs) biased at 3V for 2.4GHz wireless communication applications are proposed. A planar Si delta -doped laver is inserted inside the wide-bandgap undoped AlGaAs layer to red
    關聯: ELECTRONICS LETTERS
    显示于类别:[電機工程研究所] 期刊論文

    文件中的档案:

    档案 描述 大小格式浏览次数
    index.html0KbHTML359检视/开启


    在NCUIR中所有的数据项都受到原著作权保护.

    社群 sharing

    ::: Copyright National Central University. | 國立中央大學圖書館版權所有 | 收藏本站 | 設為首頁 | 最佳瀏覽畫面: 1024*768 | 建站日期:8-24-2009 :::
    DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - 回馈  - 隱私權政策聲明