Quantum-confined Stark shift in electroreflectance of InAs/InxGa1-xAs self-assembled quantum dots

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题名:	Quantum-confined Stark shift in electroreflectance of InAs/InxGa1-xAs self-assembled quantum dots
作者:	Hsu,TM;Chang,WH;Huang,CC;Yeh,NT;Chyi,JI
贡献者:	電機工程研究所
关键词:	ELECTRON-HOLE ALIGNMENT;MU-M;DEPENDENCE
日期:	2001
上传时间:	2010-07-06 18:34:30 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Electroreflectance was employed to study the electric-field effect on the interband transitions of InAs quantum dots embedded in an In0.16Ga0.84As matrix. The electric field caused an asymmetric quantum-confined Stark shift, which revealed a nonzero built
關聯:	APPLIED PHYSICS LETTERS
显示于类别:	[電機工程研究所] 期刊論文

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