Processing and device performance of GaN power rectifiers

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题名:	Processing and device performance of GaN power rectifiers
作者:	Zhang,AP;Dang,GT;Cao,XA;Cho,H;Ren,F;Han,J;Chyi,JI;Lee,CM;Nee,TE;Chuo,CC;Chi,GC;Chu,SNG;Wilson,RG;Pearton,SJ
贡献者:	電機工程研究所
日期:	2000
上传时间:	2010-07-06 18:36:23 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Mesa and planar geometry GaN Schottky rectifiers were fabricated on 3-12 mum thick epitaxial layers. In planar diodes utilizing resistive GaN, a reverse breakdown voltage of 3.1 kV was achieved in structures containing p-guard rings and employing extensio
關聯:	MRS INTERNET JOURNAL OF NITRIDE SEMICONDUCTOR RESEARCH
显示于类别:	[電機工程研究所] 期刊論文

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