Low alkaline contamination bilayer bottom antireflective coatings in F-2 excimer laser lithography

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題名:	Low alkaline contamination bilayer bottom antireflective coatings in F-2 excimer laser lithography
作者:	Chen,HL;Chuang,YF;Lee,CC;Ko,FH;Hsieh,CI;Huang,TY
貢獻者:	薄膜技術研究中心
關鍵詞:	THIN-FILMS;RESIST
日期:	2002
上傳時間:	2010-07-07 15:47:55 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	A bilayer bottom antireflective coating (BARC) structure composed of tetraethoxysilane (TEOS) oxide and silicon nitride film stacks is demonstrated for F-2 excimer laser (157 nm) lithography. The top TEOS oxide film is an NH3 contaminant-free material tha
關聯:	ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS
顯示於類別:	[薄膜技術研究中心] 期刊論文

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