Residual strain in ZnO nanowires grown by catalyst-free chemical vapor deposition on GaN/sapphire (0001)

NCU Institutional Repository > 研究中心 > 光電科學研究中心 > 期刊論文 > Item 987654321/35690

請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/35690

題名:	Residual strain in ZnO nanowires grown by catalyst-free chemical vapor deposition on GaN/sapphire (0001)
作者:	Tsao,F. C.;Chen,J. Y.;Kuo,C. H.;Chi,G. C.;Pan,C. J.;Huang,P. J.;Tun,C. J.;Pong,B. J.;Hsueh,T. H.;Chang,C. Y.;Pearton,S. J.;Ren,F.
貢獻者:	光電科學研究中心
關鍵詞:	LIGHT-EMITTING-DIODES;NANOBELTS;HETEROSTRUCTURE;DEVICES
日期:	2008
上傳時間:	2010-07-07 15:49:03 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	ZnO nanowires were grown on 2-mu m-thick GaN templates by chemical vapor deposition without employing any metal catalysts. The GaN template was deposited by metal-organic chemical vapor deposition on a c-plane sapphire substrate. The diameters of the resu
關聯:	APPLIED PHYSICS LETTERS
顯示於類別:	[光電科學研究中心] 期刊論文

文件中的檔案:

檔案	描述	大小	格式	瀏覽次數
index.html		0Kb	HTML	813	檢視/開啟

在NCUIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

社群 sharing