Low-operation voltage of InGaN/GaN light-emitting diodes by using a Mg-doped Al0.15Ga0.85N/GaN superlattice

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題名:	Low-operation voltage of InGaN/GaN light-emitting diodes by using a Mg-doped Al0.15Ga0.85N/GaN superlattice
作者:	Sheu,JK;Chi,GC;Jou,MJ
貢獻者:	光電科學研究中心
關鍵詞:	INDIUM TIN OXIDE;P-TYPE GAN;CONTACTS
日期:	2001
上傳時間:	2010-07-07 15:51:11 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Low-resistivity Mg-doped Al0.15Ga0.85N/GaN strained-layer superlattices were grown. In these superlattices, the maximum hole concentration is 3 x 10(18)/cm(3) at room temperature. Hall-effect measurements indicate high conductivity of this structure in wh
關聯:	IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
顯示於類別:	[光電科學研究中心] 期刊論文

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