Optical properties in InGaN/GaN multiple quantum wells and blue LEDs

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題名:	Optical properties in InGaN/GaN multiple quantum wells and blue LEDs
作者:	Su,YK;Chi,GC;Sheu,JK
貢獻者:	光電科學研究中心
關鍵詞:	LIGHT-EMITTING DIODES;GAN;LASER
日期:	2000
上傳時間:	2010-07-07 15:51:17 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	InGaN/GaN multiple quantum wells (MQW) and blue MQW light-emitting diodes were grown by metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE), Band gap narrowing of the PL spectra for the InGaN/GaN MQW LEDs can be observed at room temperature. In addition, the emissio
關聯:	OPTICAL MATERIALS
顯示於類別:	[光電科學研究中心] 期刊論文

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