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作者
2005
Device performance improvement of InGaP/InGaAs doped-channel FETs
Chien,FT
;
Yin,JM
;
Chiu,HC
;
Chan,YJ
2005
Device-partition method using equivalent circuit model in two-dimensional device simulation
Chang,CC
;
Li,SJ
;
Tsai,YT
2005
Effect of Cl-2/Ar dry etching on p-GaN with Ni/Au metallization characterization
Hsueh,KP
;
Hsu,HT
;
Wang,CM
;
Huang,SC
;
Hsin,YM
;
Sheu,JK
2005
Effect of interlevel Coulomb interactions on the tunneling current through a single quantum dot
Kuo,DMT
2005
Efficient spin relaxation in InGaN/GaN and InGaN/GaMnN quantum wells: An obstacle to spin detection
Chen,WM
;
Buyanova,IA
;
Nishibayashi,K
;
Kayanuma,K
;
Seo,K
;
Murayama,A
;
Oka,Y
;
Thaler,G
;
Frazier,R
;
Abernathy,CR
;
Ren,F
;
Pearton,SJ
;
Pan,CC
;
Chen,GT
;
Chyi,JI
2005
Electrically-driven spontaneous emission spectrum of a single quantum dot
Kuo,DMT
;
Chang,YC
2005
Electroreflectance studies of InAs quantum dots with InxGa1-xAs capping layer grown by metalorganic chemical vapor deposition
Chang,WH
;
Chen,HY
;
Chang,HS
;
Chen,WY
;
Hsu,TM
;
Hsieh,TP
;
Chyi,JI
;
Yeh,NT
2005
Enhanced light emission from InAs quantum dots in single-defect photonic crystal microcavities at room temperature
Chen,WY
;
Chang,WH
;
Chang,HS
;
Hsu,TM
;
Lee,CC
;
Chen,CC
;
Luan,PG
;
Chang,JY
;
Hsieh,TP
;
Chyi,JI
2005
Fast decomposition of filterbanks for the state-of-the-art audio coding
Huang,SW
;
Tsai,TH
;
Chen,LG
2005
Feature-based error concealment for object-based video
Lee,PJ
;
Chen,HH
;
Wang,WJ
;
Chen,LG
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