English  |  正體中文  |  简体中文  |  全文筆數/總筆數 : 80990/80990 (100%)
造訪人次 : 42773548      線上人數 : 1209
RC Version 7.0 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.
搜尋範圍 查詢小技巧：
  • 您可在西文檢索詞彙前後加上"雙引號"，以獲取較精準的檢索結果
  • 若欲以作者姓名搜尋，建議至進階搜尋限定作者欄位，可獲得較完整資料
    •  進階搜尋


    請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/94262


    題名: 以有機金屬蒸氣沉積法磊晶成長III族氮化物於新穎基板;Epitaxial Growth of Iii-Nitrides on Novel Substrates by Mocvd
    作者: 綦振瀛
    貢獻者: 國立中央大學電機工程學系
    關鍵詞: 矽;碳化矽;鑽石;氮化鎵;磊晶;Si;SiC;Diamond;GaN;epitaxy
    日期: 2024-09-27
    上傳時間: 2024-09-30 17:22:21 (UTC+8)
    出版者: 國家科學及技術委員會(本會)
    摘要: 此計畫針對氮化鎵元件未來的應用與現有問題，研發更具競爭力之磊晶技術，可拓展氮化鎵元件發展之新機會，提升我國電力電子與通訊電子半導體產業之競爭力
    關聯: 財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
    顯示於類別:[電機工程學系] 研究計畫

    文件中的檔案:

    檔案 描述 大小格式瀏覽次數
    index.html0KbHTML46檢視/開啟


    在NCUIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

    社群 sharing

    ::: Copyright National Central University. | 國立中央大學圖書館版權所有 | 收藏本站 | 設為首頁 | 最佳瀏覽畫面: 1024*768 | 建站日期：8-24-2009 :::
    DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - 隱私權政策聲明