第三族氧化物與氮化物寬能隙半導體的整合以應用於下世代電子元件;Integration of Group-Iii Oxide and Iii-Nitride-Based Wide Bandgap Semiconductors for Next-Generation Electronics Applications

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題名:	第三族氧化物與氮化物寬能隙半導體的整合以應用於下世代電子元件;Integration of Group-Iii Oxide and Iii-Nitride-Based Wide Bandgap Semiconductors for Next-Generation Electronics Applications
作者:	綦振瀛
貢獻者:	國立中央大學電機工程學系
關鍵詞:	氧化鎵;氮化鎵;寬能隙半導體;Ga2O3;GaN;Wide bandgap semiconductors
日期:	2025-03-11
上傳時間:	2025-03-11 17:42:32 (UTC+8)
出版者:	國家科學及技術委員會(本會)
摘要:	此國際合作計畫將整合氧化鎵與氮化鎵之磊晶結構，以應用於下世代功率電子元件及光電元件。這兩種材料都是目前備受矚目的寬能隙半導體，整合後可發揮二者之優點，提升元件特性，在學術上亦可首次揭開此二材料之異質接面的物理特性，極有研究價值。
關聯:	財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
顯示於類別:	[電機工程學系] 研究計畫

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