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    題名: 使用DS及CCz長晶法開發生長太陽光電產業級的矽晶定;Development and Growth of Industry Scale Ds and Ccz Silicon Ingots for Pv Applications
    作者: 陳志臣
    貢獻者: 國立中央大學機械工程學系
    關鍵詞: 連續式柴氏長晶法;直接固化長晶法;數值模擬;對流;質傳;氧雜質;Continuous Czochralski Crystal Growth;Directional Solidification Crystal Growth;Numerical Simulation;Convection;Mass Transfer;Oxygen Impurity
    日期: 2025-03-11
    上傳時間: 2025-03-11 17:44:20 (UTC+8)
    出版者: 國家科學及技術委員會(本會)
    摘要: CCz所生長矽單晶，可有效控制氧含量並延長少數載流子壽命，維持摻雜劑於晶棒中的均勻性及提高生產速率，對發展n型矽太陽能電池具關鍵重要性，是目前太陽能產業的焦點技術。
    關聯: 財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
    顯示於類別:[機械工程學系] 研究計畫

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