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    題名: 利用CsPbBr3磊晶基板製作CsPbBr3發光二極體之研究;Study on the Fabrication of Cspbbr3 Light Emitting Diodes Using Cspbbr3 Epitaxial Substrates
    作者: 詹佳樺
    貢獻者: 國立中央大學能源工程研究所
    關鍵詞: 熱蒸鍍;CsPbBr3磊晶基板;量子阱;CsPbBr3發光二極體;Thermal Evaporation Deposition;CsPbBr3 epitaxial substrate;Multiple Quantum Wells;CsPbBr3 PeLEDs
    日期: 2025-07-31
    上傳時間: 2025-08-07 17:12:46 (UTC+8)
    出版者: 國家科學及技術委員會(本會)
    摘要: 本研究開發PVD製程於鈣鈦礦磊晶基板上進行ETL、類量子阱(MQWs)、HTL等結構的設計與鍍膜技術，製作出高品質、高效率之綠光PeLEDs元件。研究涵跨化學合成、熱處理技術、長晶技術、材料改質、結構設計以及PeLEDs元件製作技術等領域，除了可以培育我國在此相關領域的人才，研究成果亦可提供相關領域學者專家參考，有助於促進鈣鈦礦領域學術發展。
    關聯: 財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
    顯示於類別:[能源工程研究所 ] 研究計畫

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