磊晶成長氮化鎵異質結構於多晶氧化鋁基板之研究;Epitaxial Growth of Gan-Based Heterostructures on Poly-Aln Substrates

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題名:	磊晶成長氮化鎵異質結構於多晶氧化鋁基板之研究;Epitaxial Growth of Gan-Based Heterostructures on Poly-Aln Substrates
作者:	綦振瀛
貢獻者:	國立中央大學電機工程學系
關鍵詞:	氮化鎵;氮化硼;氮化鋁;GaN;BN;AlN
日期:	2026-01-22
上傳時間:	2026-01-23 16:35:15 (UTC+8)
出版者:	國家科學及技術委員會(本會)
摘要:	本計畫擬以氮化硼為中介層，磊晶成長HEMT結構於多晶氮化鋁基板上，以提升元件散熱能力，降低生產成本，若能順利達成目標，可在現有功率元件市場上獨樹一幟，為我國產業另闢一個新機會。
關聯:	財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
顯示於類別:	[電機工程學系] 研究計畫

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