CMOS-MEMS勞倫茲力磁感測器之研製

NCU Institutional Repository > 工學院 > 機械工程研究所 > 博碩士論文 > Item 987654321/86998

jsp.display-item.identifier=請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/86998

题名:	CMOS-MEMS勞倫茲力磁感測器之研製
作者:	陳柏儒;Chen, Po-Ju
贡献者:	機械工程學系
关键词:	CMOS-MEMS;磁感測器;勞倫茲力
日期:	2021-09-10
上传时间:	2021-12-07 13:38:40 (UTC+8)
出版者:	國立中央大學
摘要:	本研究提出一種基於勞倫茲力原理之電容式磁感測器，透過勞倫茲力作用於元件結構上造成感測電容間距的改變，並搭配電容讀取電路完成磁場的量測。在製作上採用UMC 0.18 m 1P6M CMOS製程，實現機械結構以及電路布局，並結合台灣半導體研究中心所提供之標準後製程，進行結構的懸浮。藉由CMOS-MEMS整合技術，我們期望開發多種MEMS元件，並借助半導體製程之穩定性，提升元件良率及性質。;In this paper, we presented a capacitive magnetic sensor based on the principle of Lorentz force. The Lorentz force acted on the device will change the gap between capacitor plates, so the magnetic field can be sensed by the readout circuit. In fabrication process, we used UMC 0.18 m 1P6M CMOS process to achieve our device, and used post-process which is provided by TSRI to suspend the MEMS structure. With standard CMOS process, we expect the reliability and performance will be increased.
显示于类别:	[機械工程研究所] 博碩士論文

文件中的档案:

档案	描述	大小	格式	浏览次数
index.html		0Kb	HTML	131	检视/开启

在NCUIR中所有的数据项都受到原著作权保护.

社群 sharing