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    类别 日期 题名 作者 档案
    [電機工程研究所] 期刊論文 1999 Growth and device performance of GaN Schottky rectifiers Chyi,JI; Lee,CM; Chuo,CC; Chi,GC; Dang,GT; Zhang,AP; Ren,F; Cao,XA; Pearton,SJ; Chu,SNG; Wilson,RG
    [電機工程研究所] 期刊論文 2003 Comparison of the electrical and luminescent properties of p-layer-up and n-layer-up GaN/InGaN light emitting diodes and the effects of Mn doping of the upper n-layer Polyakov,AY; Smirnov,NB; Govorkov,AV; Kim,J; Ren,F; Thaler,GT; Overberg,ME; Frazier,R; Abernathy,CR; Pearton,SJ; Lee,CM; Chyi,JI; Wilson,RG; Zavada,JM
    [電機工程研究所] 期刊論文 2003 Electrical and electroluminescent properties of GaN light emitting diodes with the contact layer implanted with Mn Polyakov,AY; Smirnov,NB; Govorkov,AV; Kim,J; Ren,F; Overberg,ME; Thaler,GT; Abernathy,CR; Pearton,SJ; Lee,CM; Chyi,JI; Wilson,RG; Zavada,JM
    [電機工程研究所] 期刊論文 2000 High voltage GaN Schottky rectifiers Dang,GT; Zhang,AP; Ren,F; Cao,XNA; Pearton,SJ; Cho,H; Han,J; Chyi,JI; Lee,CM; Chuo,CC; Chu,SNG; Wilson,RG
    [電機工程研究所] 期刊論文 2000 Processing and device performance of GaN power rectifiers Zhang,AP; Dang,GT; Cao,XA; Cho,H; Ren,F; Han,J; Chyi,JI; Lee,CM; Nee,TE; Chuo,CC; Chi,GC; Chu,SNG; Wilson,RG; Pearton,SJ
    [電機工程研究所] 期刊論文 2000 Properties and effects of hydrogen in GaN Pearton,SJ; Cho,H; Ren,F; Chyi,JI; Han,J; Wilson,RG
    [電機工程研究所] 期刊論文 2000 Temperature dependence of GaN high breakdown voltage diode rectifiers Chyi,JI; Lee,CM; Chuo,CC; Cao,XA; Dang,GT; Zhang,AP; Ren,F; Pearton,SJ; Chu,SNG; Wilson,RG
    [物理研究所] 期刊論文 2000 Temperature dependent performance of GaN Schottky diode rectifiers Cao,XA; Dang,GT; Zhang,AP; Ren,F; Pearton,SJ; Lee,CM; Chuo,CC; Chyi,JI; Chi,GC; Han,J; Chu,SNG; Wilson,RG

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