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类别	日期	题名	作者
[材料科學與工程研究所 ] 期刊論文	2008	Formation of relaxed SiGe on the buffer consists of modified SiGe stacked layers by Si pre-intermixing	Chen,P. S.; Lee,S. W.; Lee,M. H.; Liu,C. W.
[材料科學與工程研究所 ] 期刊論文	2008	Modified growth of Ge quantum dots using C2H4 mediation by ultra-high vacuum chemical vapor deposition	Lee,S. W.; Chen,P. S.; Cheng,S. L.; Lee,M. H.; Chang,H. T.; Lee,C. -H.; Liu,C. W.
[材料科學與工程研究所 ] 期刊論文	2008	Strained-Si with carbon incorporation for MOSFET source/drain engineering	Lee,M. H.; Chang,S. T.; Lee,S. W.; Chen,P. S.; Shen,K. -W.; Wang,W. -C.