English
|
正體中文
| 简体中文 |
全文笔数/总笔数 : 80990/80990 (100%)
造访人次 : 41638862 在线人数 : 1771
RC Version 7.0 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by
NTU Library IR team.
搜寻范围
全部NCUIR
地球科學學院
客家學院
工學院
文學院
理學院
生醫理工學院
研究中心
管理學院
總教學中心委員會
行政單位
資訊電機學院
查询小技巧:
您可在西文检索词汇前后加上"双引号",以获取较精准的检索结果
若欲以作者姓名搜寻,建议至进阶搜寻限定作者字段,可获得较完整数据
进阶搜寻
主页
‧
登入
‧
上传
‧
说明
‧
关于NCUIR
‧
管理
NCU Institutional Repository
>
作者相关文件
数据加载中.....
类别浏览
正在载入社群分类, 请稍候....
年代浏览
正在载入年代分类, 请稍候....
"Hwu,MJ"的相关文件
回到依作者浏览
显示 8 项.
类别
日期
题名
作者
档案
[電機工程研究所] 期刊論文
2004
Improved gate leakage and microwave power performance by inserting a thin praseodymium gate metal layer in AlGaAs/InGaAs doped-channel field effect transistors
Hwu,MJ
;
Chju,HC
;
Yang,SC
;
Chan,YJ
;
Chang,LB
[電機工程研究所] 期刊論文
2004
K-band monolithic InGaP-InGaAs DCFET amplifier using BCB coplanar waveguide technology
Chiu,HC
;
Yang,SC
;
Lin,CK
;
Hwu,MJ
;
Chiou,HK
;
Chan,YJ
[電機工程研究所] 期刊論文
2004
Single step electron-beam lithography for asymmetric recess and gamma gate in high electron mobility transistor fabrication
Lin,CK
;
Wang,WK
;
Hwu,MJ
;
Chan,YJ
[電機工程研究所] 期刊論文
2003
0.2-mu m gate-length InGaP-InGaAs DCFETs for C-band MMIC amplifier applications
Chiu,HC
;
Yang,SC
;
Lin,CK
;
Hwu,MJ
;
Chan,YJ
[電機工程研究所] 期刊論文
2003
A novel double-recessed 0.2-mu m T-gate process for heterostructure InGaP-InGaAs doped-channel FET fabrication
Hwu,MJ
;
Chiu,HC
;
Yang,SC
;
Chan,YJ
[電機工程研究所] 期刊論文
2003
High performance BCB-bridged AlGaAs/InGaAs power HFETs
Chiu,HC
;
Yeh,TJ
;
Yang,SC
;
Hwu,MJ
;
Chan,YJ
[電機工程研究所] 期刊論文
2003
Submicron RIE recessed InGaP/InGaAs doped-channel FETs
Yang,SC
;
Chiu,HC
;
Hwu,MJ
;
Wang,WK
;
Lin,CK
;
Chan,YJ
[電機工程研究所] 期刊論文
2002
Enhanced power performance of enhancement-mode Al0.5Ga0.5As/In0.15Ga0.85As pHEMTs using a low-k BCB passivation
Chiu,HC
;
Hwu,MJ
;
Yang,SC
;
Chan,YJ
::: Copyright National Central University. | 國立中央大學圖書館版權所有 |
收藏本站
|
設為首頁
| 最佳瀏覽畫面: 1024*768 | 建站日期:8-24-2009 :::
DSpace Software
Copyright © 2002-2004
MIT
&
Hewlett-Packard
/
Enhanced by
NTU Library IR team
Copyright ©
-
隱私權政策聲明