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类别	日期	题名	作者
[電機工程研究所] 期刊論文	2006	The improvement in modulation speed of GaN-based green light-emitting diode, (LED) by use of n-type barrier, doping for plastic optical fiber (POF) communication	Shi,J. -W.; Huang,H. -Y; Sheu,J. -K.; Chen,C. -H.; Wu,Y. -S.; Lai,W. -C.
[光電科學與工程學系] 期刊論文	2006	Phosphor-free GaN-based transverse junction light emitting diodes for the generation of white light	Shi,J. -W.; Huang,H. -Y; Wang,C. -K.; Sheu,J. -K.; Lai,W. -C.; Wu,Y-S.; Chen,C. -H.; Chu,J. -T.; Kuo,H. -C.; Lin,Wei-Ping; Yang,Tsung-Hsun; Chyi,J. -I.
[電機工程研究所] 期刊論文	2008	High-speed GaN-based green light-emitting diodes with partially n-doped active layers and current-confined apertures	Shi,J. -W.; Sheu,J. -K.; Chen,C. -H.; Lin,G. -R.; Lai,W. -C.
[物理研究所] 期刊論文	2008	Phosphor-free GaN-based transverse junction white-light light-emitting diodes with regrown n-type regions	Shi,J. -W.; Chen,C. -C.; Wang,C. -K.; Lin,C. -S.; Shen,J. -K.; Lai,W. -C.; Kuo,C. -H.; Tun,C. -J.; Yang,T. -H.; Tsao,F-C.; Chyi,J. -I